2024年の電子展の聴衆のための指示

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2162215SI8812DB-T2-E1絵Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8812DB-T2-E1

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規格
  • 部品型番
    SI8812DB-T2-E1
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI8812DB-T2-E1.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±5V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    4-Microfoot
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    59 mOhm @ 1A, 4.5V
  • 電力消費（最大）
    500mW (Ta)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    4-UFBGA
  • 他の名前
    SI8812DB-T2-E1TR
    SI8812DBT2E1
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    17nC @ 8V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    1.2V, 4.5V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    20V
  • 詳細な説明
    N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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説明: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

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説明: SAMPLE PACK SI87XX

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説明: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

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説明: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

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