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2652836SI6562CDQ-T1-GE3絵Electro-Films (EFI) / Vishay

SI6562CDQ-T1-GE3

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規格
  • 部品型番
    SI6562CDQ-T1-GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI6562CDQ-T1-GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1.5V @ 250µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-TSSOP
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
  • 電力 - 最大
    1.6W, 1.7W
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 他の名前
    SI6562CDQ-T1-GE3CT
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    850pF @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    23nC @ 10V
  • FETタイプ
    N and P-Channel
  • FET特長
    Logic Level Gate
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    20V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    6.7A, 6.1A
  • ベース部品番号
    SI6562

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