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6613162SI5511DC-T1-GE3絵Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5511DC-T1-GE3

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規格
  • 部品型番
    SI5511DC-T1-GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI5511DC-T1-GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2V @ 250µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    1206-8 ChipFET™
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
  • 電力 - 最大
    3.1W, 2.6W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-SMD, Flat Lead
  • 他の名前
    SI5511DC-T1-GE3TR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    435pF @ 15V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    7.1nC @ 5V
  • FETタイプ
    N and P-Channel
  • FET特長
    Logic Level Gate
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    4A, 3.6A
  • ベース部品番号
    SI5511

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説明: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

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