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SI4931DY-T1-GE3

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規格
  • 部品型番
    SI4931DY-T1-GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI4931DY-T1-GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1V @ 350µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-SO
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
  • 電力 - 最大
    1.1W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 他の名前
    SI4931DY-T1-GE3TR
    SI4931DYT1GE3
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    33 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    -
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    52nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    2 P-Channel (Dual)
  • FET特長
    Logic Level Gate
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    12V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    6.7A
  • ベース部品番号
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