2024年の電子展の聴衆のための指示

今すぐあなたの時間を予約してください!

数回クリックして座席を予約し、ブースチケットを入手してください!

ホールC5ホール220ブース

事前に登録します

2024年の電子展の聴衆のための指示
あなたは皆サインアップしました! 予約していただきありがとうございます!
予約を確認した後、メールでブースチケットをお送りします。
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SI4446DY-T1-E3
問い合わせ/注文 (0)
日本語
日本語
4432370

SI4446DY-T1-E3

引き合い

連絡先情報を使用して必要なすべてのフィールドを完成させてください。「RFQを送信」をクリックしてください。すぐにメールでお問い合わせください。または私たちにメールしてください:info@ftcelectronics.com
オンライン問い合わせ
規格
  • 部品型番
    SI4446DY-T1-E3
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 同上@ VGS(TH)(最大)
    1.6V @ 250µA
  • Vgs(最大)
    ±12V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-SO
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、(最大)
    40 mOhm @ 5.2A, 10V
  • 電力消費(最大)
    1.1W (Ta)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 他の名前
    SI4446DY-T1-E3TR
    SI4446DYT1E3
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
    700pF @ 20V
  • ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs
    12nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
    4.5V, 10V
  • ソース電圧(VDSS)にドレイン
    40V
  • 詳細な説明
    N-Channel 40V 3.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
    3.9A (Ta)
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

説明: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

説明: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
在庫あり
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

説明: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
在庫あり
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

説明: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

説明: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

説明: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4448DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

説明: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

説明: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
在庫あり
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

説明: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4451DY-T1-E3

SI4451DY-T1-E3

説明: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

説明: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

説明: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

説明: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

メーカー: Energy Micro (Silicon Labs)
在庫あり
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

説明: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4451DY-T1-GE3

SI4451DY-T1-GE3

説明: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり
SI4453DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

説明: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫あり

言語を選択してください

空白スペースをクリックして終了します