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6350843SI1032X-T1-GE3絵Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1032X-T1-GE3

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規格
  • 部品型番
    SI1032X-T1-GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI1032X-T1-GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1.2V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±6V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SC-89-3
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    5 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • 電力消費（最大）
    300mW (Ta)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    SC-89, SOT-490
  • 他の名前
    SI1032X-T1-GE3TR
    SI1032XT1GE3
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    33 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    0.75nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    1.5V, 4.5V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    20V
  • 詳細な説明
    N-Channel 20V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    200mA (Ta)

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