2024年の電子展の聴衆のための指示

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6791768S1GHE3_A/I絵Electro-Films (EFI) / Vishay

S1GHE3_A/I

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規格
  • 部品型番
    S1GHE3_A/I
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.S1GHE3_A/I.pdf
    2.S1GHE3_A/I.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.1V @ 1A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    400V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    DO-214AC (SMA)
  • 速度
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    1.8µs
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    DO-214AC, SMA
  • 他の名前
    S1GHE3_A/I-ND
    S1GHE3_A/IGITR
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 150°C
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    1µA @ 400V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    1A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    12pF @ 4V, 1MHz
  • ベース部品番号
    S1G

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S1GHE3_A/H

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説明: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

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RFQ
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