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7050893IRLD120絵Electro-Films (EFI) / Vishay

IRLD120

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規格
  • 部品型番
    IRLD120
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    IRLD120.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±10V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    4-DIP, Hexdip, HVMDIP
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    270 mOhm @ 780mA, 5V
  • 電力消費（最大）
    1.3W (Ta)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 他の名前
    *IRLD120
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    490pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    12nC @ 5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4V, 5V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    100V
  • 詳細な説明
    N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    1.3A (Ta)

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