2024年の電子展の聴衆のための指示

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IRFBE30STRLPBF絵

Electro-Films (EFI) / Vishay

IRFBE30STRLPBF

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規格

部品型番

IRFBE30STRLPBF
メーカー/ブランド

Electro-Films (EFI) / Vishay
在庫数量

在庫あり
説明

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
仕様書

IRFBE30STRLPBF.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）

4V @ 250µA
Vgs（最大）

±20V
技術

MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ

D2PAK
シリーズ

-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）

3 Ohm @ 2.5A, 10V
電力消費（最大）

125W (Tc)
パッケージング

Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
運転温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ

Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）

1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム

18 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds

1300pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs

78nC @ 10V
FETタイプ

N-Channel
FET特長

-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン

800V
詳細な説明

N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）

4.1A (Tc)

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