2024年の電子展の聴衆のための指示

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EPC2102ENG

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規格
  • 部品型番
    EPC2102ENG
  • メーカー/ブランド
    EPC
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    EPC2102ENG.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 7mA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    Die
  • シリーズ
    eGaN®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    4.4 mOhm @ 20A, 5V
  • 電力 - 最大
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    Die
  • 他の名前
    917-EPC2102ENG
    EPC2102ENGRH6
  • 運転温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    830pF @ 30V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    6.8nC @ 5V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET特長
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    23A

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