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EPC2030ENGR

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規格
  • 部品型番
    EPC2030ENGR
  • メーカー/ブランド
    EPC
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    EPC2030ENGR.pdf
  • 電圧 - テスト
    1900pF @ 20V
  • 電圧 - ブレークダウン
    Die
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.4 mOhm @ 30A, 5V
  • 技術
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • シリーズ
    eGaN®
  • RoHSステータス
    Tray
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    31A (Ta)
  • 偏光
    Die
  • 他の名前
    917-EPC2030ENGR
  • 運転温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 製造元の部品番号
    EPC2030ENGR
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    18nC @ 5V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    2.5V @ 16mA
  • FET特長
    N-Channel
  • 拡張された説明
    N-Channel 40V 31A (Ta) Surface Mount Die
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    -
  • 説明
    TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    40V
  • 静電容量比
    -

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EPC2024ENGR

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説明: MOSFET NCH 60V 31A DIE

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EPC2024

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説明: MOSFET NCH 40V 60A DIE

メーカー: EPC
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EPC2025ENGR

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説明: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE

メーカー: EPC
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EPC2033

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説明: TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE

メーカー: EPC
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EPC2024ENG

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説明: TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE

メーカー: EPC
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EPC2032

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説明: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

メーカー: EPC
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説明: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE

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説明: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE

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説明: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

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説明: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

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説明: TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE

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EPC2032ENGR

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説明: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

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