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EPC2010CENGR

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規格
  • 部品型番
    EPC2010CENGR
  • メーカー/ブランド
    EPC
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    EPC2010CENGR.pdf
  • 電圧 - テスト
    380pF @ 100V
  • 電圧 - ブレークダウン
    Die Outline (7-Solder Bar)
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    25 mOhm @ 12A, 5V
  • 技術
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • シリーズ
    eGaN®
  • RoHSステータス
    Tape & Reel (TR)
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    22A (Ta)
  • 偏光
    Die
  • 他の名前
    917-EPC2010CENGRTR
  • 運転温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 製造元の部品番号
    EPC2010CENGR
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    3.7nC @ 5V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    2.5V @ 3mA
  • FET特長
    N-Channel
  • 拡張された説明
    N-Channel 200V 22A (Ta) Surface Mount Die Outline (7-Solder Bar)
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    -
  • 説明
    TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    200V
  • 静電容量比
    -

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EPC2007C

EPC2007C

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EPC2016

EPC2016

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EPC2001

EPC2001

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メーカー: EPC
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EPC2016C

EPC2016C

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メーカー: EPC
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EPC2012

EPC2012

説明: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE

メーカー: EPC
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EPC2007

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説明: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE

メーカー: EPC
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EPC2012C

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説明: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE

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EPC1PC8

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説明: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP

メーカー: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
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EPC2015C

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説明: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

メーカー: EPC
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EPC2014

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EPC1PC8CC

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説明: IC CONFIG DEVICE

メーカー: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
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EPC2010

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説明: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE

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EPC2014C

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説明: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

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EPC2015CENGR

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説明: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE

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EPC1PI8

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説明: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP

メーカー: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
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説明: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP

メーカー: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
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EPC2015

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説明: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

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EPC2012CENGR

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説明: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE

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EPC2010C

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