2024年の電子展の聴衆のための指示

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DMN62D0LFB-7

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規格
  • 部品型番
    DMN62D0LFB-7
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DMN62D0LFB-7.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    3-X1DFN1006
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    2 Ohm @ 100mA, 4V
  • 電力消費（最大）
    470mW (Ta)
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    3-UFDFN
  • 他の名前
    DMN62D0LFB-7DICT
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    16 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    32pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    0.45nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    1.5V, 4V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    N-Channel 60V 100mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-X1DFN1006
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    100mA (Ta)

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