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DMN61D8LVT-13

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規格
  • 部品型番
    DMN61D8LVT-13
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DMN61D8LVT-13.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2V @ 1mA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TSOT-26
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    1.8 Ohm @ 150mA, 5V
  • 電力 - 最大
    820mW
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 他の名前
    DMN61D8LVT-13DICT
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    12.9pF @ 12V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    0.74nC @ 5V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • FET特長
    Logic Level Gate
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    630mA

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