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DMN6069SFGQ-13

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規格
  • 部品型番
    DMN6069SFGQ-13
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DMN6069SFGQ-13.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    3V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    PowerDI3333-8
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    50 mOhm @ 4.5A, 10V
  • 電力消費（最大）
    2.4W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerVDFN
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • メーカーの標準リードタイム
    32 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1480pF @ 30V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    25nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    N-Channel 60V 18A (Tc) 2.4W Surface Mount PowerDI3333-8
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    18A (Tc)

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