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4264407DMN30H4D0LFDE-13絵Diodes Incorporated

DMN30H4D0LFDE-13

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規格
  • 部品型番
    DMN30H4D0LFDE-13
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DMN30H4D0LFDE-13.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.8V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    4 Ohm @ 300mA, 10V
  • 電力消費（最大）
    630mW (Ta)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    6-UDFN Exposed Pad
  • 他の名前
    DMN30H4D0LFDE-13DI
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    16 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    187.3pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    7.6nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    2.7V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    300V
  • 詳細な説明
    N-Channel 300V 550mA (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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