2024年の電子展の聴衆のための指示

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DMN2080UCB4-7

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規格
  • 部品型番
    DMN2080UCB4-7
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808-
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DMN2080UCB4-7.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±8V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    X2-WLB0808-4
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    56 mOhm @ 1A, 4.5V
  • 電力消費（最大）
    710mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    4-XFBGA, WLBGA
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • メーカーの標準リードタイム
    17 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    540pF @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    7.4nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    1.5V, 4.5V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    20V
  • 詳細な説明
    N-Channel 20V 3A (Ta) 710mW Surface Mount X2-WLB0808-4
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    3A (Ta)

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