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DMN2016LHAB-7

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規格
  • 部品型番
    DMN2016LHAB-7
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DMN2016LHAB-7.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1.1V @ 250µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    U-DFN2030-6
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    15.5 mOhm @ 4A, 4.5V
  • 電力 - 最大
    1.2W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    6-UDFN Exposed Pad
  • 他の名前
    DMN2016LHAB-7DITR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    20 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1550pF @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET特長
    Logic Level Gate
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    20V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.5A 1.2W Surface Mount U-DFN2030-6
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    7.5A

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