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6714642DMN1019UVT-13絵Diodes Incorporated

DMN1019UVT-13

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規格
  • 部品型番
    DMN1019UVT-13
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DMN1019UVT-13.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    800mV @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±8V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TSOT-26
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
  • 電力消費（最大）
    1.73W (Ta)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 他の名前
    DMN1019UVT-13DI
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    32 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    2588pF @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    50.4nC @ 8V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    1.2V, 4.5V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    12V
  • 詳細な説明
    N-Channel 12V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    10.7A (Ta)

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