2024年の電子展の聴衆のための指示

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2504772

DMJ70H601SV3

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規格
  • 部品型番
    DMJ70H601SV3
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード線付き/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DMJ70H601SV3.pdf
  • ECADモデル
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-251
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    600 mOhm @ 2.1A, 10V
  • 電力消費（最大）
    125W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • メーカーの標準リードタイム
    8 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    686pF @ 50V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    20.9nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    700V
  • 詳細な説明
    N-Channel 700V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    8A (Tc)

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DMJ70H1D5SV3

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DMJ70H600SH3

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説明: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

メーカー: Diodes Incorporated
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説明: MOSFET N-CH TO251

メーカー: Diodes Incorporated
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DMJ70H1D3SH3

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説明: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

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説明: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

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DMJ70H1D0SV3

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説明: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

メーカー: Diodes Incorporated
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DMJ70H1D3SI3

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DMJT9435-13

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DMJ7N70SK3-13

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SSM3K16CT,L3F

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ZVN4206AVSTOA

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