2024年の電子展の聴衆のための指示

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1867134DMG4N60SK3-13絵Diodes Incorporated

DMG4N60SK3-13

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規格
  • 部品型番
    DMG4N60SK3-13
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード線付き/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DMG4N60SK3-13.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4.5V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-252
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    2.3 Ohm @ 2A, 10V
  • 電力消費（最大）
    48W (Ta)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 他の名前
    DMG4N60SK3-13DITR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    30 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    532pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    14.3nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    600V
  • 詳細な説明
    N-Channel 600V 3.7A (Tc) 48W (Ta) Surface Mount TO-252
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    3.7A (Tc)

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