2024年の電子展の聴衆のための指示

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DMG3N60SJ3

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規格
  • 部品型番
    DMG3N60SJ3
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード線付き/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DMG3N60SJ3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-251
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
  • 電力消費（最大）
    41W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • メーカーの標準リードタイム
    22 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    354pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    12.6nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    650V
  • 詳細な説明
    N-Channel 650V 2.8A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    2.8A (Tc)

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