2024年の電子展の聴衆のための指示

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747082DGD2103S8-13絵Diodes Incorporated

DGD2103S8-13

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規格
  • 部品型番
    DGD2103S8-13
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DGD2103S8-13.pdf
  • 電源電圧 -
    10 V ~ 20 V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-SO
  • シリーズ
    -
  • 立上り/立下り時間（Typ）
    100ns, 35ns
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 他の名前
    DGD2103S8-13DICT
  • 運転温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 入力周波数
    2
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • ロジック電圧 - VIL、VIH
    0.8V, 2.5V
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Non-Inverting
  • ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）
    600V
  • ゲートタイプ
    IGBT, N-Channel MOSFET
  • 駆動構成
    Half-Bridge
  • 詳細な説明
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
  • 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）
    290mA, 600mA
  • ベース・エミッタ間飽和電圧（最大）
    Independent

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