2024年の電子展の聴衆のための指示

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25825012DB1132P-13絵Diodes Incorporated

2DB1132P-13

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規格
  • 部品型番
    2DB1132P-13
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    2DB1132P-13.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    32V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    500mV @ 50mA, 500mA
  • トランジスタ型式
    PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SOT-89-3
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    1W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-243AA
  • 他の名前
    2DB1132P-13-ND
    2DB1132P-13DITR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    190MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 1A 190MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    82 @ 100mA, 3V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    1A
  • ベース部品番号
    2DB1132

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