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2266159CYDD09S36V18-200BBXC絵Cypress Semiconductor

CYDD09S36V18-200BBXC

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規格
  • 部品型番
    CYDD09S36V18-200BBXC
  • メーカー/ブランド
    Cypress Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    CYDD09S36V18-200BBXC.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
  • 技術
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • サプライヤデバイスパッケージ
    256-FBGA (17x17)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    256-LBGA
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    5 (48 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    9Mb (128K x 36 x 2)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (128K x 36 x 2) Parallel 200MHz 500ps 256-FBGA (17x17)
  • クロック周波数
    200MHz
  • ベース部品番号
    CYDD
  • アクセス時間
    500ps

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