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2011411CY7C1321KV18-250BZCT絵Cypress Semiconductor

CY7C1321KV18-250BZCT

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規格
  • 部品型番
    CY7C1321KV18-250BZCT
  • メーカー/ブランド
    Cypress Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    CY7C1321KV18-250BZCT.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 技術
    SRAM - Synchronous, DDR II
  • サプライヤデバイスパッケージ
    165-FBGA (13x15)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    165-LBGA
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    18Mb (512K x 36)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • メーカーの標準リードタイム
    15 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 250MHz 165-FBGA (13x15)
  • クロック周波数
    250MHz
  • ベース部品番号
    CY7C1321

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