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BDV65B

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規格
  • 部品型番
    BDV65B
  • メーカー/ブランド
    Central Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    POWER TRANSISTOR NPN TO218
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    BDV65B.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    100V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    -
  • トランジスタ型式
    NPN
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-218
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    125W
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-218-3
  • 他の名前
    BDV65BCS
  • 運転温度
    -
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 周波数 - トランジション
    60MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 12A 60MHz 125W Through Hole TO-218
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    1000 @ 5A, 4V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    -
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    12A

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RFQ
BDV64C-S

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説明: TRANS PNP DARL 120V 12A

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メーカー: Bourns, Inc.
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説明: POWER TRANSISTOR PNP TO218

メーカー: Central Semiconductor
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RFQ
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説明: POWER TRANSISTOR NPN TO218

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説明: POWER TRANSISTOR NPN TO218

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説明: TRANS NPN DARL 100V 10A TO247

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BDV65-S

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説明: TRANS NPN DARL 60V 12A

メーカー: Bourns, Inc.
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BDV64B

BDV64B

説明: TRANS PNP DARL 100V 10A TO-218

メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
在庫あり
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