2024年の電子展の聴衆のための指示

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AS4C8M16MSA-6BIN

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規格
  • 部品型番
    AS4C8M16MSA-6BIN
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
  • ECADモデル
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 技術
    SDRAM - Mobile
  • サプライヤデバイスパッケージ
    54-FBGA (8x8)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    54-VFBGA
  • 他の名前
    1450-1456
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    128Mb (8M x 16)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • メーカーの標準リードタイム
    8 Weeks
  • 詳細な説明
    SDRAM - Mobile Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-FBGA (8x8)
  • クロック周波数
    166MHz
  • アクセス時間
    5ns
AS4C8M16S-6TANTR

AS4C8M16S-6TANTR

説明: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16D1-5BIN

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説明: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16MSA-6BINTR

AS4C8M16MSA-6BINTR

説明: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16S-6BIN

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メーカー: Alliance Memory, Inc.
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説明: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16S-6TCN

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AS4C8M16S-6TIN

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メーカー: Alliance Memory, Inc.
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メーカー: Alliance Memory, Inc.
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説明: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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説明: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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説明: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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説明: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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