2024年の電子展の聴衆のための指示

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規格
  • 部品型番
    AS4C512M8D3LA-12BAN
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    15ns
  • 電源電圧 -
    1.283 V ~ 1.45 V
  • 技術
    SDRAM - DDR3L
  • サプライヤデバイスパッケージ
    78-FBGA (10.5x9)
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q100
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    78-VFBGA
  • 運転温度
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    4Gb (512M x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (10.5x9)
  • クロック周波数
    800MHz
  • アクセス時間
    20ns
AS4C512M8D3LB-12BCN

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説明: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

メーカー: Alliance Memory, Inc.
在庫あり
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メーカー: Alliance Memory, Inc.
在庫あり
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メーカー: Alliance Memory, Inc.
在庫あり
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