2024年の電子展の聴衆のための指示

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1560993AS4C32M16SB-6TINTR絵Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16SB-6TINTR

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規格
  • 部品型番
    AS4C32M16SB-6TINTR
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    12ns
  • 電源電圧 -
    3 V ~ 3.6 V
  • 技術
    SDRAM
  • サプライヤデバイスパッケージ
    54-TSOP II
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    512Mb (32M x 16)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • メーカーの標準リードタイム
    8 Weeks
  • 詳細な説明
    SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
  • クロック周波数
    166MHz
  • アクセス時間
    5ns
AS4C32M16SM-7TCN

AS4C32M16SM-7TCN

説明: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

メーカー: Alliance Memory, Inc.
在庫あり
AS4C32M16SA-7BCNTR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD1-5BCN

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SM-7TINTR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16MSA-6BINTR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SB-7TIN

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AS4C32M16SB-6TIN

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AS4C32M16SA-7TIN

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AS4C32M16SA-7BIN

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