2024年の電子展の聴衆のための指示

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AS4C32M16D2B-25BCN

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規格
  • 部品型番
    AS4C32M16D2B-25BCN
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    15ns
  • 電源電圧 -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 技術
    SDRAM - DDR2
  • サプライヤデバイスパッケージ
    84-FBGA (8x12.5)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    84-TFBGA
  • 運転温度
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    512Mb (32M x 16)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • メーカーの標準リードタイム
    8 Weeks
  • 詳細な説明
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-FBGA (8x12.5)
  • クロック周波数
    400MHz
  • アクセス時間
    400ps
AS4C32M16D2-25BCNTR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA

メーカー: Alliance Memory, Inc.
在庫あり
AS4C32M16D2A-25BCNTR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA

メーカー: Alliance Memory, Inc.
在庫あり
AS4C32M16D3-12BCNTR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D3-12BIN

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メーカー: Alliance Memory, Inc.
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メーカー: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D2A-25BAN

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