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1177064AS4C32M16D1A-5TAN絵Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16D1A-5TAN

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規格
  • 部品型番
    AS4C32M16D1A-5TAN
  • メーカー/ブランド
    Alliance Memory, Inc.
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    AS4C32M16D1A-5TAN.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    15ns
  • 電源電圧 -
    2.3 V ~ 2.7 V
  • 技術
    SDRAM - DDR
  • サプライヤデバイスパッケージ
    66-TSOP II
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q100
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 運転温度
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    512Mb (32M x 16)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • メーカーの標準リードタイム
    8 Weeks
  • 詳細な説明
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • クロック周波数
    200MHz
  • アクセス時間
    700ps

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C2M43D1A-5BINTR

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説明: DDR SDRAM

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AS4C32M16D1-5TCN

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AS4C32M16D1A-5TIN

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C32M16D1A-5TCN

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AS4C32M16D1A-5TANTR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D1A-5TCNTR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D1-5BCN

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16D1A-5TINTR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C32M16D1-5TIN

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

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