2024年の電子展の聴衆のための指示

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ALD212900APAL

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規格
  • 部品型番
    ALD212900APAL
  • メーカー/ブランド
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    ALD212900APAL.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    10mV @ 20µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-PDIP
  • シリーズ
    EPAD®, Zero Threshold™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    14 Ohm
  • 電力 - 最大
    500mW
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 他の名前
    1014-1215
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    8 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    30pF @ 5V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    -
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • FET特長
    Logic Level Gate
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    10.6V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    80mA

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ALD212908PAL

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説明: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

メーカー: Advanced Linear Devices, Inc.
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RFQ
ALD212900PAL

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説明: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

メーカー: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD212900ASAL

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説明: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

メーカー: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD212900SAL

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説明: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

メーカー: Advanced Linear Devices, Inc.
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