2024年の電子展の聴衆のための指示

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RFD12N06RLESM9A

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規格
  • 部品型番
    RFD12N06RLESM9A
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    RFD12N06RLESM9A.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    3V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±16V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-252AA
  • シリーズ
    UltraFET™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    63 mOhm @ 18A, 10V
  • 電力消費（最大）
    49W (Tc)
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 他の名前
    RFD12N06RLESM9ACT
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    4 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    485pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    15nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    N-Channel 60V 18A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    18A (Tc)

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説明: MOSFET N-CH 50V 14A DPAK

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