2024年の電子展の聴衆のための指示

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NVMFS6B05NWFT1G

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規格
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    NVMFS6B05NWFT1G
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    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 同上@ VGS(TH)(最大)
    4V @ 250µA
  • Vgs(最大)
    ±16V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、(最大)
    8 mOhm @ 20A, 10V
  • 電力消費(最大)
    3.8W (Ta), 165W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerTDFN
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    44 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds
    3100pF @ 25V
  • ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs
    44nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
    10V
  • ソース電圧(VDSS)にドレイン
    100V
  • 詳細な説明
    N-Channel 100V 3.8W (Ta), 165W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)
    -
NVMFS6B05NLWFT1G

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説明: MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN

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