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2177503NVMFS5113PLWFT1G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFS5113PLWFT1G

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規格
  • 部品型番
    NVMFS5113PLWFT1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    NVMFS5113PLWFT1G.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    14 mOhm @ 17A, 10V
  • 電力消費（最大）
    3.8W (Ta), 150W (Tc)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • メーカーの標準リードタイム
    44 Weeks
  • 鉛フリーステータス
    Lead free
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    4400pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    83nC @ 10V
  • FETタイプ
    P-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    P-Channel 60V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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