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2360749NVMFD5C650NLT1G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFD5C650NLT1G

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規格
  • 部品型番
    NVMFD5C650NLT1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NVMFD5C650NLT1G.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.2V @ 98µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    4.2 mOhm @ 20A, 10V
  • 電力 - 最大
    3.5W (Ta), 125W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerTDFN
  • 他の名前
    NVMFD5C650NLT1G-ND
    NVMFD5C650NLT1GOSTR
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    50 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    2546pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • FET特長
    Standard
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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