2024年の電子展の聴衆のための指示

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NVATS4A103PZT4G

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規格
  • 部品型番
    NVATS4A103PZT4G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET P-CHANNEL 30V 60A ATPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NVATS4A103PZT4G.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.6V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    ATPAK
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    13 mOhm @ 28A, 10V
  • 電力消費（最大）
    60W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    33 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    2430pF @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    47nC @ 10V
  • FETタイプ
    P-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    P-Channel 30V 60A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    60A (Ta)

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