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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTR3162PT1G

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規格

部品型番

NTR3162PT1G
メーカー/ブランド

AMI Semiconductor/onsemi
在庫数量

在庫あり
説明

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
仕様書

NTR3162PT1G.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）

1V @ 250µA
Vgs（最大）

±8V
技術

MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ

SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ

-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）

70 mOhm @ 2.2A, 4.5V
電力消費（最大）

480mW (Ta)
パッケージング

Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
運転温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ

Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）

1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds

940pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs

10.3nC @ 4.5V
FETタイプ

P-Channel
FET特長

-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

1.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン

20V
詳細な説明

P-Channel 20V 2.2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）

2.2A (Ta)

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