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NTMFS4H013NFT1G

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規格
  • 部品型番
    NTMFS4H013NFT1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NTMFS4H013NFT1G.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.1V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    0.9 mOhm @ 30A, 10V
  • 電力消費（最大）
    2.7W (Ta), 104W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerTDFN
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    50 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    3923pF @ 12V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    56nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    25V
  • 詳細な説明
    N-Channel 25V 43A (Ta), 269A (Tc) 2.7W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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