2024年の電子展の聴衆のための指示

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NTMFS4C08NAT1G

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規格
  • 部品型番
    NTMFS4C08NAT1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.1V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    5.8 mOhm @ 18A, 10V
  • 電力消費（最大）
    2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    42 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1670pF @ 15V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    18.2nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    N-Channel 30V 16.4A (Ta), 52A (Tc) 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    16.4A (Ta), 52A (Tc)

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