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3601318NTMFD4C86NT1G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFD4C86NT1G

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規格
  • 部品型番
    NTMFD4C86NT1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NTMFD4C86NT1G.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.2V @ 250µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-DFN (5x6)
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    5.4 mOhm @ 30A, 10V
  • 電力 - 最大
    1.1W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerTDFN
  • 他の名前
    NTMFD4C86NT1G-ND
    NTMFD4C86NT1GOSTR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1153pF @ 15V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    22.2nC @ 10V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • FET特長
    Standard
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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