2024年の電子展の聴衆のための指示

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4650651

NTMD6N04R2G

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規格
  • 部品型番
    NTMD6N04R2G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NTMD6N04R2G.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    3V @ 250µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-SOIC
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    34 mOhm @ 5.8A, 10V
  • 電力 - 最大
    1.29W
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 他の名前
    NTMD6N04R2GOSCT
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    900pF @ 32V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    30nC @ 10V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • FET特長
    Logic Level Gate
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    40V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 4.6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    4.6A
  • ベース部品番号
    NTMD6N04

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NTMD6601NR2G

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NTMFD4902NFT1G

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説明: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NTMFD4901NFT3G

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説明: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

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NTMD6N02R2

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NTMD4884NFR2G

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説明: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC

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