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3406357NTJD5121NT1G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJD5121NT1G

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規格
  • 部品型番
    NTJD5121NT1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NTJD5121NT1G.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 250µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • 電力 - 最大
    250mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 他の名前
    NTJD5121NT1G-ND
    NTJD5121NT1GOSTR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    44 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    26pF @ 20V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    0.9nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • FET特長
    Logic Level Gate
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    295mA
  • ベース部品番号
    NTJD5121N

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