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2007166NSVMMBT5551M3T5G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVMMBT5551M3T5G

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規格
  • 部品型番
    NSVMMBT5551M3T5G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NSVMMBT5551M3T5G.pdf
  • ECADモデル
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    160V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    200mV @ 5mA, 50mA
  • トランジスタ型式
    NPN
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SOT-723
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101
  • 電力 - 最大
    265mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    SOT-723
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    12 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 60mA 265mW Surface Mount SOT-723
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    80 @ 10mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    50nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    60mA

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