2024年の電子展の聴衆のための指示

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5439770NSVIMD10AMT1G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVIMD10AMT1G

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規格
  • 部品型番
    NSVIMD10AMT1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    SURF MT BIASED RES XSTR
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NSVIMD10AMT1G.pdf
  • ECADモデル
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    300mV @ 1mA, 10mA
  • トランジスタ型式
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SC-74R
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101
  • 抵抗器ベース（R2）
    10 kOhms
  • 抵抗器 - ベース（R1）
    13 kOhms, 130 Ohms
  • 電力 - 最大
    285mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 他の名前
    NSVIMD10AMT1G-ND
    NSVIMD10AMT1GOSTR
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 285mW Surface Mount SC-74R
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500nA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    500mA

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NSVM1MA141WAT1G

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メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSVF3007SG3T1G

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説明: RF TRANSISTOR

メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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