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2327135NSVBCW32LT1G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVBCW32LT1G

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規格
  • 部品型番
    NSVBCW32LT1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NSVBCW32LT1G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    32V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    250mV @ 500µA, 10mA
  • トランジスタ型式
    NPN
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SOT-23-3 (TO-236)
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    225mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    36 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 32V 100mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    200 @ 2mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100mA

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