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3761900NSVBAS19LT1G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVBAS19LT1G

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規格
  • 部品型番
    NSVBAS19LT1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NSVBAS19LT1G.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.25V @ 200mA
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    120V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SOT-23-3 (TO-236)
  • 速度
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    50ns
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 他の名前
    NSVBAS19LT1G-ND
    NSVBAS19LT1GOSTR
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 150°C
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    2 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 120V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    100nA @ 100V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    200mA (DC)
  • Vrと、F @キャパシタンス
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