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3513577NSBC114YPDXV6T1絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T1

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規格
  • 部品型番
    NSBC114YPDXV6T1
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    NSBC114YPDXV6T1.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    250mV @ 300µA, 10mA
  • トランジスタ型式
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SOT-563
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース（R2）
    47 kOhms
  • 抵抗器 - ベース（R1）
    10 kOhms
  • 電力 - 最大
    500mW
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    SOT-563, SOT-666
  • 他の名前
    NSBC114YPDXV6OSCT
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    80 @ 5mA, 10V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500nA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100mA
  • ベース部品番号
    NSBC1*

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