2024年の電子展の聴衆のための指示

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4762139NSB13211DW6T1G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB13211DW6T1G

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規格
  • 部品型番
    NSB13211DW6T1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NSB13211DW6T1G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
  • トランジスタ型式
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース（R2）
    4.7 kOhms, 10 kOhms
  • 抵抗器 - ベース（R1）
    4.7 kOhms, 10 kOhms
  • 電力 - 最大
    230mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500nA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100mA

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説明: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

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メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSB8ATHE3/45

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説明: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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説明: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

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NSB8ATHE3/81

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説明: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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NSB8DTHE3/45

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説明: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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NSB4904DW1T1G

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説明: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSB8ATHE3_A/I

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説明: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

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NSB13ANT3G

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説明: TVS DIODE 13V 21.5V SMB

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説明: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSB8AT-E3/81

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説明: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

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RFQ
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